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电子元器件详细资料 » IC[27685] » SI8461DB-T2-E1
型号:SI8461DB-T2-E1类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:4-XFBGA,CSPBGA描述:MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C100 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs24nC @ 8V
输入电容(Ciss)0a0Vds610pF @ 10V
功率_最大780mW
安装类型表面贴装
封装/外壳4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装4-Microfoot
包装剪切带 (CT)

SI8461DB-T2-E1相关型号

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